SK海力士在今年初受人工智能驱动的存储需求激增影响，开始扩大投资，覆盖韩国和中国大陆多个项目。该公司计划于2026年下半年重启大连第二工厂的扩建，预计能够生产238层NAND闪存，月产能目标为3万至5万片晶圆。此外，SK海力士还在无锡的DRAM工厂进行投资，计划将工艺升级到1αnm（第四代10nm级别）。不过，由于美国的限制，过去SK海力士暂停了扩建项目。尽管2026年的申请已获得美国政府批准，2027年的申请仍在等待中。目前，美国政府正加速促使SK海力士在美投资建厂，有消息指公司希望借此条件，推动美方尽快批准对中国大陆出口设备。同时，SK海力士全资子公司Solidigm计划最快于明年在美国进行IPO，以筹集建设工厂所需资金。扩建大连工厂将为Solidigm提高估值，并在新工厂投产前保障稳定的市场供应。
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